半導体素子のキャパシタ製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158692
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050699
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 TaON薄膜からなるキャパシタの漏洩電流特性を改善することができる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に下部電極用ルビジウム膜を形成するステップと、前記ルビジウム膜の上部に誘電率に優れたアモルファスTaON薄膜を形成するステップと、前記薄膜を形成した全体構造物を1次熱処理に供するステップと、前記アモルファスTaON薄膜の結晶化のために前記全体構造物を2次熱処理に供するステップと、前記の結晶化されたTaON薄膜上に上部電極用金属膜を形成するステップとを含んでなることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極用ルビジウム膜を形成するステップと、前記ルビジウム膜上にアモルファスTaON薄膜を形成するステップと、前記アモルファスTaON薄膜を形成した全体構造物を1次熱処理に供するステップと、前記アモルファスTaON薄膜の結晶化のために、前記全体構造物を2次熱処理に供するステップと、前記の結晶化されたTaON薄膜上に上部電極用金属膜を形成するステップとを含んでなることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , C23C 16/30 , H01L 21/318 , H01L 27/108

FI (3件)：

C23C 16/30 , H01L 21/318 C , H01L 27/10 651

Fターム (34件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA17 , 4K030BA35 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030LA11 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ05 , 5F083GA06 , 5F083JA01 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (9件)

強誘電体キャパシタの作製方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-164997 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
キャパシタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-189588 出願人：三星電子株式会社
タンタルを含む高誘電体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-072505 出願人：ソニー株式会社

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