ビアホールの加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-257082
公開番号（公開出願番号）：特開2008-073740
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：

【課題】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、基板の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、所定の厚さに形成されたウエーハの基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射して基板にレーザー加工孔を形成するレーザー加工孔形成工程と、基板にレーザー加工孔が形成されたウエーハを基板の裏面側からエッチングするエッチング工程とを含む。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、基板の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された基板の裏面を研削してウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と、所定の厚さに形成されたウエーハの基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射して基板にレーザー加工孔を形成するレーザー加工孔形成工程と、基板にレーザー加工孔が形成されたウエーハを基板の裏面側からエッチングするエッチング工程と、を含む、ことを特徴とするビアホールの加工方法。

IPC (2件)：

B23K 26/38 , B23K 26/00

FI (2件)：

B23K26/38 330 , B23K26/00 G

Fターム (6件)：

4E068AA01 , 4E068AA03 , 4E068AF01 , 4E068CA08 , 4E068CF04 , 4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

回路モジュール及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-361692 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (9件)

半導体素子とその接続構造及び半導体素子を積層した半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-109118 出願人：新光電気工業株式会社
レーザー加工方法およびレーザー加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-062145 出願人：株式会社ディスコ
特開昭63-066931

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