特許
J-GLOBAL ID：200903023616542201

基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法、結晶性半導体薄膜を形成した積層体およびカラーフィルター

発明者：
大津 茂実

大津 茂実 について

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清水 敬司

清水 敬司 について

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谷田 和敏

谷田 和敏 について

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圷 英一

圷 英一 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348664
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：
【要約】【課題】 低温でかつ簡便な工程および装置により作製可能な半導体薄膜の製造方法を提供すること、さらに、基材に半導体薄膜を設けた基板、カラーフィルター形成用基板、および前記基板を用いるカラーフィルターを提供すること。【解決手段】 基材の上に設けたアモルファス半導体薄膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法。
請求項（抜粋）：
基材の上に設けたアモルファス半導体薄膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法。
IPC (6件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/20 101 ,  H01L 21/20
FI (6件)：
C23C 14/34 N ,  C23C 14/08 E ,  C23C 14/58 C ,  G02B 5/20 101 ,  H01L 21/20 ,  G02B 1/10 Z
Fターム (34件)：
2H048BA11 ,  2H048BA45 ,  2H048BA48 ,  2H048BA62 ,  2H048BB02 ,  2H048BB47 ,  2K009BB02 ,  2K009BB11 ,  2K009CC02 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD07 ,  2K009EE02 ,  2K009EE03 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA48 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01 ,  5F052AA06 ,  5F052AA18 ,  5F052AA24 ,  5F052BA20 ,  5F052BB00 ,  5F052CA09 ,  5F052DA00 ,  5F052DA09 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052DB09 ,  5F052JA10
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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