特許
J-GLOBAL ID：200903001312192430
アニール装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-196563
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017431
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 低温でかつ簡便な工程により、基材上に設けたアモルファス薄膜を結晶性薄膜にするためのアニール装置を提供すること。【解決手段】 基材上に設けたアモルファス薄膜を結晶性薄膜にするためのアニール装置であって、アモルファス薄膜を設けた基材を収容するチャンバー、チャンバーにガスを導入する手段とチャンバーからガスを排出する手段および/または真空排気手段、アモルファス薄膜を加熱するための加熱手段、前記アモルファス薄膜の温度を制御するための温度制御手段およびアモルファス薄膜に紫外線を照射するための紫外線照射手段を有するアニール装置。
請求項（抜粋）：
基材上に設けたアモルファス薄膜を結晶性薄膜にするためのアニール装置であって、アモルファス薄膜を設けた基材を収容するチャンバー、チャンバーにガスを導入する手段、チャンバーからガスを排出する手段、アモルファス薄膜を加熱するための加熱手段、前記アモルファス薄膜の温度を制御するための温度制御手段およびアモルファス薄膜に紫外線を照射するための紫外線照射手段を有するアニール装置。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, H01L 21/20
, C23C 14/58
H01L 21/20
, C23C 14/58 C
, H01L 21/26 G
4K029AA09
, 4K029BA17
, 4K029BA48
, 4K029BB07
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029EA08
, 4K029GA00
, 5F052AA24
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DA04
, 5F052DA06
, 5F052DA10
, 5F052DB04
, 5F052DB07
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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