半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262294
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077838
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体製造装置のクリーニング処理を自動的に判定するドライクリーニング時期判定システムを提供する。【解決手段】半導体製造装置の反応槽5の内部に堆積した堆積膜を少なくともハロゲンガスを含むクリーニングガスによってエッチング除去するドライクリーニングに関するものである。第1の発明は、クリーニング時期を自動的に判定するシステムである。第2の発明はCVD膜などを形成する半導体製造装置の反応槽内に堆積した堆積膜を少なくともClF3ガスなどのハロゲンガスを含むクリーニングガスによって除去する際に金属、金属化合物、有機物系ガスなどを存在させる。選択比を高め、クリーニング時間を高めることができる。第3の発明は、装置の効率的なクリーニングを実施するための制御を行うシステムである。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置の反応槽内に堆積した堆積膜を少なくともハロゲンガスを含むクリーニングガスによってエッチング除去するドライクリーニングを実施する時期を、前記反応槽内に堆積した前記堆積膜の累積膜厚が規定値を超えない時期とするドライクリーニング時期判定システムにおいて、半導体製造装置の累積膜種情報、半導体製造装置の累積膜厚情報、ロットの到着予想時期情報、ロットの成膜予定膜厚情報、ロットの緊急度情報、ロットの後工程装置情報及び付帯設備動作情報を含むコンピュータが管理する情報に基づいてコンピュータによって決められたアルゴリズムにしたがって、半導体ウェーハに対する処理を行う装置、所定のロットを処理するに最適な装置、ドライクリーニングを実施する装置及び付帯設備をメンテナンスする装置を自動的に判断する手段と、前記自動的に判断する手段に基づいて、前記各装置に対して、半導体ウェーハに対する処理を行う時期、所定のロットに対し処理を行う時期、ドライクリーニングを実施する時期、付帯設備をメンテナンスする時期の決定を行う手段と、前記各時期の決定を行う手段による決定にしたがった前記各装置の次の処理内容を出力する手段とを備えたことを特徴とする半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , H01L 21/302 N

Fターム (25件)：

4K030AA06 , 4K030BA30 , 4K030CA04 , 4K030DA06 , 4K030FA10 , 4K030KA39 , 4K030LA15 , 5F004AA15 , 5F004BD04 , 5F004CB12 , 5F004DA00 , 5F004DA20 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB07 , 5F004DB23 , 5F045AA06 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AB39 , 5F045AC05 , 5F045EB06 , 5F045GB13 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259083 出願人：三菱電機株式会社
処理装置及びそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-315085 出願人：富士通株式会社
特開平4-155827

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