特許
J-GLOBAL ID：200903024092736042

五酸化タンタル-酸化アルミニウム膜の製造方法及びこれを適用した半導体素子

発明者：
朱 光 ▲チョル▼

朱 光 ▲チョル▼ について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346100
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229426
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 誘電定数が大きく且つ化学量論的に安定した(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜をフラッシュメモリのセルトランジスタに適用してセルトランジスタの電気的特性及び信頼性を向上させ、次世代フラッシュメモリを実現すること。【解決手段】 下部層を形成する段階と、Ta成分の化学蒸気、Al成分の化学蒸気及び過剰O2ガスを用いて前記下部層上に非晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を形成する段階と、前記非晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を熱処理して結晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を形成する段階とを含んでなる。
請求項（抜粋）：
下部層を形成する段階と、Ta成分の化学蒸気、Al成分の化学蒸気及び過剰O2ガスを用いて前記下部層上に非晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を形成する段階と、前記非晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を熱処理して結晶質(Ta2O5)1-x-(Al2O3)x膜を形成する段階とを含んでなることを特徴とする五酸化タンタル-酸化アルミニウム膜の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (43件)：
5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD01 ,  5F083EP56 ,  5F083ER22 ,  5F083GA06 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR15 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140AC32 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19
引用特許：
審査官引用 (10件)
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