特許
J-GLOBAL ID：200903024411592865

半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について

, 
矢元 久良

矢元 久良 について

, 
矢木 肇

矢木 肇 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 秋山 敦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-353758
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168055
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。【解決手段】 本発明は、触媒CVD,高密度触媒CVD,高密度プラズマCVD,プラズマCVD,減圧CVD,常圧CVD,スパッタリング,触媒スパッタリングを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器1に原料ガスを供給して基板10上に、半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。
請求項（抜粋）：
触媒CVDまたは高密度触媒CVDを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法であって、真空容器に少なくとも原料ガスを供給して前記基板上に半導体膜を形成することを含む半導体膜形成工程と、前記形成された半導体膜にレーザーを照射し、前記形成された半導体膜をレーザーでアニールするレーザーアニール工程と、を備えたことを特徴とする半導体膜形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322
FI (4件)：
H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Z
Fターム (58件)：
5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AB37 ,  5F045AB38 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DA59 ,  5F045DQ15 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EB12 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25 ,  5F052AA02 ,  5F052AA22 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB07 ,  5F052EA01 ,  5F052EA15 ,  5F052FA13 ,  5F052GC01 ,  5F052GC06 ,  5F052GC07 ,  5F052GC09 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F052JA03 ,  5F052JA04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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