選択シリコンエピタキシャル成長方法及び成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-002107
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190979
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板の表面の炭素汚染層を塩素または水素ラジカルで除去するに際し、Deep UV光で得られるラジカル生成量が少ないため、効果的な除去が難しい。【解決手段】高温に加熱されたフィラメント7により配管10から供給される塩素または水素ガスを分解して塩素ラジカルまたは水素ラジカルを生成し、このラジカルをシリコン基板1の表面に照射する。この高温加熱フィラメント7を用いることにより、生成されるラジカル量は多くなり、これらのラジカルは希フッ酸処理したシリコン基板1の表面に吸着し、シリコン表面に残留した炭素と反応して炭化塩素または炭化水素を形成し、シリコン基板1の表面から炭素を効果的に除去し、シリコン基板1の表面に形成する選択シリコンエピタキシャル膜の結晶性を向上する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に高温に加熱されたフィラメントにより生成した塩素ラジカルまたは水素ラジカルを照射する工程と、前記シリコン基板の表面に選択シリコンエピタキシャル膜を成長する工程を含むことを特徴とする選択シリコンエピタキシャル成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 , C30B 29/06 504 , H01L 21/306 , H01L 21/304 341

FI (5件)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 Z , C30B 29/06 504 F , H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 P

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体結晶成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-309925 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭62-136814
特開平4-333223

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