特許
J-GLOBAL ID：200903024490031369
炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190218
公開番号（公開出願番号）：特開2003-002795
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 高品質の炭化珪素単結晶を長時間連続して製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。【解決手段】 反応容器10内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶6を配置し,反応容器10内にSiを含有する珪素含有ガスとCを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガス8を導入することにより,種結晶6の初期表面60上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶7を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法である。混合ガス8を反応容器10内に導入する際に,複数のガス流路31,32を有するガス導入管2を用いて,各ガス流路31,32ごとに独立に混合ガス8のガスモル比とガス流量の少なくとも一方を制御する。
請求項（抜粋）：
反応容器内に炭化珪素単結晶よりなる種結晶を配置し,上記反応容器内にSiを含有する珪素含有ガスとCを含有する炭素含有ガスとを含む混合ガスを導入することにより,上記種結晶の初期表面上に炭化珪素単結晶よりなる成長結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において,上記混合ガスを上記反応容器内に導入する際に,複数のガス流路を有するガス導入管を用いて,各ガス流路ごとに独立に上記混合ガスのガスモル比とガス流量の少なくとも一方を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DB01
, 4G077DB04
, 4G077EG22
, 4G077HA12
, 4G077TB02
, 4G077TG06
, 4G077TH13
