酸化シリコン膜製造方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林良平 , 竹内尚恒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-285073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119938
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】酸化シリコン膜の内部応力を低減させ、かつ、応力に対する熱的変化の影響を軽減させる方法を提供する。【解決手段】カソードカップリング型プラズマCVD装置の下部電極上にシリコン基板を載置し、RF電圧を印加しながら、処理室に第1反応ガス及び第2反応ガスを導入する。このうち第1反応ガスはシリコン原料を含むものであり、典型的な例としてはテトラエトキシシラン(TEOS)を挙げることができる。第2反応ガスはゲルマニウムを含むものであり、例えばテトラメトキシゲルマニウムを挙げることができる。雰囲気ガスには酸素ガスを使用する。下部電極へのRF電圧印加により反応ガスがプラズマ化し、下部電極上に載置されたシリコン基板の表面に酸化シリコン膜が堆積する。このとき、基板の金属シリコンよりも酸化シリコン膜の格子定数が大きいため、通常、酸化シリコン膜の内部には圧縮応力が生じるが、第2反応ガスとしてゲルマニウムを含むガスを所定の流量で導入することにより、応力を引っ張り側にシフトさせ、膜の応力を低減させることが可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板を載置する下部電極にRF電力を投入しながら反応ガスを導入することによりシリコン基板上に酸化シリコン膜を堆積させる酸化シリコン膜の製造方法において、該反応ガスが、シリコンを含む第1反応ガスとゲルマニウムを含む第2反応ガスとを含むことを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , C23C16/42 , C23C16/509 , H01L21/31

FI (4件)：

H01L21/316 X , C23C16/42 , C23C16/509 , H01L21/31 C

Fターム (39件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA20 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030CA17 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045BB11 , 5F045DC65 , 5F045DP03 , 5F045EE15 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045HA16 , 5F058BA04 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF31 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F058BH01 , 5F058BH03

引用特許：

審査官引用 (7件)

ULSIメタライゼーションにおける銅シード層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-052548 出願人：財団法人工業技術研究院
ゲルマニウム高含有量導波路材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-564461 出願人：コーニングインコーポレイテッド
ゲルマニウムドープBPSG薄膜層及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-030522 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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