特許
J-GLOBAL ID：200903090482838264

半導体レーザ素子

発明者：
福永 敏明

福永 敏明 について

, 
大郷 毅

大郷 毅 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-249111
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374042
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 圧縮歪の活性層を有する半導体レーザ素子において、活性領域の歪を補償してしきい値電流の温度依存性を改善し、さらに高出力まで高い信頼性を得る。【解決手段】 圧縮歪Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層5と上下に隣接して積層されているnあるいはi-In0.49Ga0.51P光導波層3およびpあるいはi-In0.49Ga0.51P光導波層7との間に、それぞれInx2Ga1-x2As1-y2Py2引張り歪障壁層4およびInx2Ga1-x2As1-y2Py2引張り歪障壁層6を設ける。活性層5の圧縮歪量と該活性層の膜厚の積と、引張り歪障壁層の引張り歪量と該障壁層の合計膜厚の積との和の絶対値が0.25nm以下であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
圧縮歪を有するIn<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>(ただし、0<x3≦0.4、0≦y3≦0.1)活性層の上下層にそれぞれGaAsに格子整合するIn<SB>0.</SB><SB>49</SB>Ga<SB>0.51</SB>P光導波層を有する半導体レーザ素子において、前記活性層と前記光導波層の間にIn<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>引張り歪障壁層(0≦x2<0.49y2、0<y2≦0.4)が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045DA69 ,  5F045HA14 ,  5F073AA07 ,  5F073AA20 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA32
引用特許：
審査官引用 (13件)
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