半導体レーザー

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184436
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334272
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な低しきい値電流の半導体レーザーを実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6およびp型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7を順次積層してレーザー構造を形成する。活性層5は厚さが2〜20nmの単一のi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層から成るか、合計の厚さが2〜20nmの二つのi型Zn1-z Cdz Se量子井戸層を含む。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に積層された第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された第1の光導波層と、上記第1の光導波層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2の光導波層と、上記第2の光導波層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記活性層、上記第2の光導波層および上記第2のクラッド層はZn<SB>1-x-y </SB>Cd<SB>x </SB>Mg<SB>y </SB>S<SB>a </SB>Te<SB>b </SB>Se<SB>1-a-b</SB>(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦a<1、0≦b<1)系化合物半導体から成るとともに、上記活性層は単一の量子井戸層を有し、かつ上記量子井戸層の厚さは2〜20nmであることを特徴とする半導体レーザー。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (12件)

レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250912 出願人：松下電器産業株式会社
レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-031695 出願人：松下電器産業株式会社
レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-031694 出願人：松下電器産業株式会社

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