特許
J-GLOBAL ID：200903025169047527
交換結合膜の製造方法と、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297915
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【目的】 PtMn合金のバルクタイプではat%で50:50とした場合に、最も反強磁性となりやすいが、交換結合膜に上記組成のPtMn合金を使用した場合に、大きな交換結合磁界を発揮し得ないことがわかった。【構成】 本発明における交換結合膜の成膜段階では、まず固定磁性層3上に第1の反強磁性層14を形成し、さらに第2の反強磁性層15を形成する。このとき前記第1の反強磁性層14の元素Xの組成比を第2の反強磁性層15よりも大きくし、好ましくは固定磁性層3との界面を非整合状態にする。これにより熱処理を施すことによって、大きな交換結合磁界を得ることができる。
請求項（抜粋）：
強磁性層に接する第1の反強磁性層と、前記第1の反強磁性層に接する第2の反強磁性層の少なくとも2層を、元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成し、このとき、前記第2の反強磁性層の元素Xの組成比が前記第1の反強磁性層の元素Xの組成比よりも少なくなるようにし、熱処理を施して前記第1の反強磁性層と強磁性層との界面にて交換結合磁界を生じさせることを特徴とする交換結合膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01F 41/18
, H01L 43/08
, H01L 43/12
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01F 41/18
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049DB14
, 5E049GC01
