特許
J-GLOBAL ID：200903030371681274
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110640
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297917
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【目的】 従来の磁気抵抗効果素子の構造では、大きな抵抗変化率及び交換結合磁界を得ることができなかった。【構成】 反強磁性層4には、膜厚方向の中間領域から固定磁性層3側に向うにしたがってMnに対する元素Xの原子%の比率が増加する領域と、前記中間領域から前記固定磁性層3と反対側に向かうにしたがってMnに対する元素Xの原子%の比率が増加する領域とが存在する。また前記反強磁性層4の少なくとも一部の結晶構造がCuAu-I型の面心正方規則格子であり、前記固定磁性層3との界面の少なくとも一部が非整合状態となっている。これによって大きな交換結合磁界を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と強磁性層との界面に交換結合磁界が生じる交換結合膜において、前記反強磁性層は、元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、膜厚方向の中間領域から強磁性層側に向うにしたがってMnに対する元素Xの原子%の比率が増加する領域と、前記中間領域から前記強磁性層と反対側に向かうにしたがってMnに対する元素Xの原子%の比率が増加する領域とが存在し、前記反強磁性層の少なくとも一部の結晶構造がCuAu-I型の面心正方規則格子であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (4件)：
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/08
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049DB14
