特許
J-GLOBAL ID：200903055469238614
交換結合膜の製造方法、及び前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110585
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297913
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【目的】 従来の磁気抵抗効果素子の構造では、大きな抵抗変化率を得ることができなかった。【構成】 成膜段階(熱処理前)において、反強磁性層4の固定磁性層3との界面と反対側の面にシードレイヤ22を設ける。前記シードレイヤ22は、結晶構造が主として面心立方晶からなり、しかも結晶配向は(111)面が優先配向している。また前記シードレイヤ22は、非磁性であることが好ましい。これにより反強磁性層4からフリー磁性層1までの各層の結晶配向は(111)面が優先配向し、結晶粒径が大きく成り、従来に比べて大きな抵抗変化率を得ることが可能である。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、強磁性層と、前記反強磁性層に対し前記強磁性層と逆側から接するシードレイヤとを有する交換結合膜の製造方法において、前記シードレイヤを、前記反強磁性層との界面と平行な方向に面心立方晶の(111)面が優先配向するように形成するとともに、前記反強磁性層とシードレイヤとの界面の少なくとも一部を非整合状態にし、前記各層を形成した後に熱処理を施して、前記反強磁性層と強磁性層との界面に交換結合磁界を発生させることを特徴とする交換結合膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01F 41/18
, H01L 43/08
, H01L 43/12
H01F 10/32
, G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01F 41/18
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5E049DB14
, 5E049EB06
, 5E049GC01
