交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-110604
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297914
出願日： 2000年04月12日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【目的】従来の磁気抵抗効果素子の構造では、大きな抵抗変化率を得ることができなかった。【構成】反強磁性層4の固定磁性層3との界面と反対側の面にシードレイヤ22を設ける。前記シードレイヤ22は、結晶構造が主として面心立方晶からなり、しかも結晶配向は(111)面が優先配向している。また前記シードレイヤ22は、非磁性であることが好ましい。これにより反強磁性層4からフリー磁性層1までの各層の結晶配向は(111)面が優先配向し、結晶粒径が大きく成り、従来に比べて大きな抵抗変化率を得ることが可能である。

請求項（抜粋）：

反強磁性層と強磁性層との界面に交換結合磁界が発生する交換結合膜において、前記反強磁性層の前記界面と反対側の面に、前記界面と平行な方向に面心立方晶の(111)面が優先配向したシードレイヤが形成されており、前記反強磁性層の少なくとも一部の結晶構造が、CuAu-I型の面心正方規則格子からなり、前記反強磁性層及び強磁性層の結晶配向は、前記界面と平行な方向に(111)面が優先配向し、前記反強磁性層とシードレイヤとの界面の少なくとも一部が非整合状態であることを特徴とする交換結合膜。

IPC (4件)：

H01F 10/32 , G11B 5/39 , H01F 10/26 , H01L 43/08

FI (4件)：

H01F 10/32 , G11B 5/39 , H01F 10/26 , H01L 43/08 Z

Fターム (13件)：

5D034BA05 , 5D034BA21 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049DB14

引用特許：

出願人引用 (14件)

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-236801 出願人：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-113030 出願人：株式会社日立製作所
交換結合膜および磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-235244 出願人：株式会社東芝

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