特許
J-GLOBAL ID:200903025177937973
光検出素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-349134
公開番号(公開出願番号):特開平11-186587
出願日: 1997年12月18日
公開日(公表日): 1999年07月09日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、感度よく検出できる光検出素子を提供することが課題である。【解決手段】 第1導電型の第1半導体部3と、第1半導体部3上に形成されたこの第1導電と逆導電型である第2導電型の第2半導体部4と、を備え、被検出光を検出する光検出素子であって、第2半導体部4の半導体材料は、第1半導体部3の半導体材料に比べ、被検出光に対する光吸収係数が小さく、且つ被検出光は第2半導体部4側から前記第1半導体部3へ導入される。
請求項(抜粋):
第1導電型の第1半導体部と、該第1半導体部上に形成されたこの第1導電型と逆導電型である第2導電型の第2半導体部と、を備え、被検出光を検出する光検出素子であって、前記第2半導体部の半導体材料は、前記第1半導体部の半導体材料に比べ、前記被検出光に対する光吸収係数が小さく、且つ前記被検出光は前記第2半導体部側から前記第1半導体部へ導入されることを特徴とする光検出素子。
FI (2件):
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 H
引用特許:
審査官引用 (18件)
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特開昭62-216377
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UVフォトディテクタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-005065
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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高感度紫外放射検出フオトダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-055466
出願人:クリーリサーチインコーポレイテツド
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特開平3-052271
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特開平4-266067
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特開平3-038068
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特開平3-177077
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特開平3-252172
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非単結晶半導体薄膜の製造方法及び半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-327612
出願人:キヤノン株式会社
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特開平4-267561
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固体撮像装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-321410
出願人:キヤノン株式会社
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混晶半導体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-092347
出願人:松下電器産業株式会社
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半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-053469
出願人:株式会社東芝
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SiC紫外線検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-232877
出願人:株式会社東芝
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紫外光センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-179519
出願人:日本板硝子株式会社, 浜松ホトニクス株式会社
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特開昭62-049672
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特開昭62-060271
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特開昭59-152678
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