特許
J-GLOBAL ID：200903025643663897
電子構造体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-021072
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270697
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 SOI構造に関し、埋め込み絶縁層下に半導体装置を形成し、これにSOI構造上に形成した電気構造体を導電的に接続することにより、効率的な放熱を実現する。【解決手段】 バルク半導体基板上にSOI層を形成する。その一端がバルク半導体基板にインタフェースするトレンチをSOI層を貫通して形成する。P+ 拡散領域とN+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。P+拡散領域とN+ 拡散領域に自己整合すると共に導電的に接触する導電性プラグをトレンチ中に形成する。バルク半導体基板に形成した半導体装置は、静電放電(ESD)デバイスを含みうる。バルク半導体基板は、熱伝導率が大きいので、ESDデバイスが発生させる熱を効率的に放散させる媒体として機能する。
請求項（抜粋）：
M個の拡散領域を備え、前記Mが少なくとも2であり、前記M個の拡散領域のうちの第1の拡散領域がP+ 拡散領域であり、前記M個の拡散領域のうちの第2の拡散領域がN+ 拡散領域である半導体装置を備えたバルク半導体基板と、前記バルク半導体基板上に設けられた絶縁層と、この絶縁層上に設けられた半導体層とを備えたSOI構造と、前記M個の拡散領域に自己整合し、かつ前記SOI構造の一部を貫通して伸び、各導電性プラグの一端が前記M個の拡散領域のうちの対応する拡散領域に導電的に接触しているM個の導電性プラグとを備えた電子構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/822
, H01L 27/00 301
, H01L 27/04
, H01L 27/12
H01L 27/00 301 A
, H01L 27/12 K
, H01L 27/12 L
, H01L 27/04 H
5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038BH16
, 5F038EZ06
, 5F038EZ12
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
