加熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中本菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031613
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222124
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】単一のヒータで、被処理基板の反りや実デバイスに応じた温度制御を可能にし、線幅の均一化等を図ると共に、製品歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】半導体ウエハWを所定温度に加熱処理する加熱処理装置において、半導体ウエハWを収容する処理容器本体52内に配設され、その表面に半導体ウエハWを近接又は載置して加熱処理する可撓性を有する加熱プレート60と、加熱プレート60の適宜箇所を、半導体ウエハWに対して接離移動する接離移動手段70とを設ける。これにより、半導体ウエハWの反りや実デバイスに応じた温度制御を可能にし、線幅の均一化等を図ると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

被処理基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、上記被処理基板を収容する処理容器内に配設され、その表面に被処理基板を近接又は載置して加熱処理する可撓性を有する加熱プレートと、上記加熱プレートの適宜箇所を、上記被処理体に対して接離移動する接離移動手段と、を具備することを特徴とする加熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L21/30 567 , H01L21/02 Z

Fターム (1件)：

5F046KA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

温度制御装置および温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029760 出願人：株式会社小松製作所

審査官引用 (7件)

ウエハ加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-398611 出願人：京セラ株式会社
基板の加熱装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-278788 出願人：富士写真フイルム株式会社
セラミックヒータ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-136183 出願人：イビデン株式会社

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