特許
J-GLOBAL ID:200903026172334282

レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-369997
公開番号(公開出願番号):特開2003-255523
出願日: 2002年12月20日
公開日(公表日): 2003年09月10日
要約:
【要約】【解決手段】 (A)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、(B)酸発生剤、(C)パーフルオロアルキル基含有シロキサン結合とポリオキシエチレン型ポリエーテル結合のみを有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の非イオン性フッ素系化合物を含有することを特徴とする波長150nm以上の紫外線を露光光源とするレジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料によれば、波長150nm以上の紫外線露光により、スカムが生じないパターンを形成することができる。
請求項(抜粋):
(A)酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となる高分子化合物、(B)酸発生剤、(C)パーフルオロアルキル基含有シロキサン結合とポリオキシエチレン型ポリエーテル結合のみを有する非イオン性含フッ素オルガノシロキサン系化合物の中から選ばれた少なくとも一種の非イオン性フッ素系化合物を含有することを特徴とする波長150nm以上の紫外線を露光光源とするレジスト材料。
IPC (4件):
G03F 7/004 501 ,  C07F 7/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件):
G03F 7/004 501 ,  C07F 7/08 G ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (15件):
2H025AA04 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ18 ,  4H049VU24
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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