特許

J-GLOBAL ID：200903026277398642

SOI基板の作製方法

発明者： 井坂 史人 ,  加藤 翔 ,  小松 立 ,  根井 孝征 ,  下村 明久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-305901
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158943
出願日： 2008年12月01日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】絶縁体でなる基板から構成されるSOI基板を作製するに際し、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。【解決手段】絶縁体でなる第1の基板上に第1の絶縁膜を介して第1の単結晶半導体膜が設けられた第1のSOI基板と、第1の基板と同じ材料で形成された第2の基板とを用意し、第1の単結晶半導体膜上に第2の単結晶半導体膜を形成し、第2の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、第2の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第2の絶縁膜を形成し、第1のSOI基板の表面と第2の基板の表面とを対向させ、第2の絶縁膜の表面と第2の基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、剥離層を境として劈開することにより、第2の基板上に第2の絶縁膜を介して第2の単結晶半導体膜の一部が設けられた第2のSOI基板を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体でなる第1の基板上に第1の絶縁膜を介して第1の単結晶半導体膜が設けられた第1のSOI基板と、 前記第1の基板と同じ材料で形成された第2の基板とを用意し、 前記第1の単結晶半導体膜上に第2の単結晶半導体膜を形成し、 前記第2の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、 前記第2の単結晶半導体膜上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜の表面と前記第2の基板の表面とを接合し、 加熱処理を行うことにより前記剥離層を境として劈開し、前記第2の基板上に前記第2の絶縁膜を介して前記第2の単結晶半導体膜の一部が設けられた第2のSOI基板を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G

Fターム (77件)：

5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE03 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CE29 ,  5F152CE48 ,  5F152DD02 ,  5F152DD09 ,  5F152FF01 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF28 ,  5F152FF29 ,  5F152FG04 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL16 ,  5F152LL18 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN14 ,  5F152NN20 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-314018   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337670   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 複合材料ウェハの製造方法および使用済みドナー基板のリサイクル方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-348136   出願人：エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス.アー.

審査官引用 (6件)

• SGOI基板の製造方法およびひずみSOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-201038   出願人：株式会社東芝
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-049170   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-305637   出願人：信越半導体株式会社
• 異質構造の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-170674   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
• 半導体基板及び半導体基板の製造方法並びに半導体基板製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-099989   出願人：株式会社デンソー
• 有用層で被覆された一対の基板の同時製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-508351   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース, コミツサリアタレネルジーアトミーク