特許
J-GLOBAL ID：200903026470710050
基板洗浄方法及び現像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 俊夫
, 水野 洋美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262983
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080315
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】 露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面の溶解物を洗浄するにあたって、高い洗浄効果を得ること。【解決手段】 現像を終えたウエハを回転させながら、ノズルからウエハ中心部に洗浄液を吐出してその洗浄液を周囲に広げて液膜を形成し、次いで前記ノズルを移動させて、基板の中心部に乾燥領域を発生させ、基板を1500rpmの回転数で回転させその遠心力により前記乾燥領域を周囲に広げる。前記ノズルは乾燥領域に追いつかれない速度でウエハの中心から例えば80mm〜95mm離れた位置まで移動し、そこで洗浄液の吐出を停止する。また予めこの位置に別のノズルを配置して、ここから洗浄液を吐出しておき、乾燥領域がそこへ到達する直前にその吐出を停止してもよい。ウエハの中心に乾燥領域のコアを形成する場合、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止することが好ましい。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に基板の表面を洗浄する方法において、
基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸の回りに回転させながら基板の中心部に洗浄液を供給する工程と、
その後、基板保持部を回転させたまま、洗浄液の供給を停止するかまたは洗浄液の供給位置を基板の中心部から外側に移動することにより、洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させる工程と、
基板保持部を1500rpm以上の回転数で回転させた状態で、前記乾燥領域内に洗浄液を供給することなく、前記乾燥領域を基板の中心部から外に向かって広げる工程と、
前記基板の表面における前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/30
, H01L 21/304
H01L21/30 569F
, G03F7/30 501
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 648H
, H01L21/304 651B
, H01L21/304 651L
2H096AA25
, 2H096GA17
, 2H096GA29
, 5F046LA07
, 5F046LA14
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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