特許
J-GLOBAL ID：200903026625620486
磁電変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123665
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315830
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【課題】 磁電変換素子を極めて容易に短時間で作業性の優れた連続方法で製造することを可能とする。【解決手段】 基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法は、複数の半導体素子を形成したウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、磁電変換素子用ペレットを、樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程とを具え、該樹脂層が厚み1〜50μmであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点60〜160°C、接着活性温度170〜350°C、および熱伝導率0.2〜3.5W/m/°Cを有している。
請求項（抜粋）：
基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法であって、複数の半導体素子が一括して形成されたウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、前記樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、前記磁電変換素子用ペレットを、前記樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、前記磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程と、を備え、前記樹脂層が厚み1〜50μmであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点60〜160°C、接着活性温度170〜350°C、および熱伝導率0.2〜3.5W/m/°Cを有することを特徴とする磁電変換素子の製造方法。
引用特許：
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