特許
J-GLOBAL ID：200903027069704469

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
古野 誠

古野 誠 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-204368
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071288
出願日： 2008年08月07日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】微結晶半導体でなるチャネル形成領域を有する薄膜トランジスタの電気特性を向上させる。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ微結晶半導体でなる第1の半導体層と、第1の半導体層上に設けられ非晶質半導体を有する第2の半導体層と、第2の半導体層上に設けられたソース領域およびドレイン領域とを薄膜トランジスタに設ける。第1の半導体層には、オン状態でチャネルが形成され、アクセプタとなる不純物元素を含んでいる。第1の半導体層を構成する微結晶半導体層はプラズマ励起化学気相成長法に形成される。微結晶半導体層の形成では、周波数の異なる2以上の高周波電力によりプロセスガスを励起する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、 前記薄膜トランジスタは 前記ゲート電極と、 前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられ、アクセプタ不純物元素を含む微結晶半導体でなり、かつ前記チャネル形成領域を含む第1の半導体層と、 前記ゲート絶縁層上に設けられ、非晶質半導体でなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域を含む一対の第3の半導体層と、を有し、 前記第1の半導体層を形成する工程は、 前記アクセプタ不純物元素を含むドーパントガスを少なくとも含むプロセスガスを用いて、プラズマ励起化学気相成長法により、前記アクセプタ不純物元素を含む微結晶半導体層を形成し、 前記プロセスガスに周波数の異なる2以上の高周波電力を供給してプラズマを生成して、前記微結晶半導体層を形成する ことを含む特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H01L 21/205
FI (6件)：
H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618E ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618F ,  H01L21/205
Fターム (98件)：
2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB11 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB57 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092QA05 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045CA15 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG55 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平4-242724号公報
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182073   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 米国特許5,591,987号明細書
審査官引用 (10件)
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