微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法、ハードディスクヘッドの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳瀬睦肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218577
公開番号（公開出願番号）：特開2002-031893
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】高アスペクト比のパターンであってもフォトレジスト膜に露光できる微細加工方法、反射防止膜及びその成膜方法を提供する。【解決手段】本発明に係る微細加工方法は、下地膜上にDLCからなる反射防止膜21を成膜する工程と、この反射防止膜22上にフォトレジスト膜23を塗布する工程と、このフォトレジスト膜23を露光、現像する工程と、を具備するものである。従って、高アスペクト比のパターンであってもフォトレジスト膜にシャープに露光できる。

請求項（抜粋）：

下地膜上にDLCからなる反射防止膜を成膜する工程と、この反射防止膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、このフォトレジスト膜を露光、現像する工程と、を具備することを特徴とする微細加工方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/20 501 , G03F 7/40 521 , G11B 5/31 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/20 501 , G03F 7/40 521 , G11B 5/31 C , G11B 5/31 K , G11B 5/31 M , H01L 21/30 574

Fターム (22件)：

2H025AB17 , 2H025DA34 , 2H025FA03 , 2H025FA14 , 2H025FA41 , 2H025FA43 , 2H096AA27 , 2H096CA06 , 2H096EA00 , 2H096GA00 , 2H096HA23 , 2H096HA27 , 2H096JA04 , 2H097CA12 , 2H097LA20 , 5D033BB43 , 5D033DA02 , 5D033DA04 , 5D033DA08 , 5D033DA09 , 5D033DA31 , 5F046PA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184780 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-296045 出願人：株式会社東芝
多層構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-231729 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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