ボイドフリーギャップ充填に対する誘電体膜品質を向上させる方法及びシステム

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271319
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152551
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第1の酸化物層を形成するステップであって、該第1の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第1のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第1の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第1のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第2のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第2のシリコン酸化物層の一部になり、該第2のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン酸化物層を基板上に形成する方法であって、基板を準備するステップと、前記基板の少なくとも一部を覆う第1のシリコン酸化物層を形成するステップであって、前記第1のシリコン酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップと、前記第1のシリコン酸化物層を、複数のシリコン含有種に曝すステップであって、前記複数のシリコン含有種のうちの少なくとも一部が、前記残留する水及び水酸基の少なくとも一部と反応するか、または、熱分解されて複数の非晶質シリコン成分を形成し、前記複数の非晶質シリコン成分が、前記第1のシリコン酸化物層と部分的に混合するステップと、前記複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合された前記第1のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第2のシリコン酸化物層を前記基板上に形成するステップであって、前記非晶質シリコン成分の少なくとも一部が、酸化されて、前記第2のシリコン酸化物層の一部になり、また、前記第2のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種が、実質的に除去されるステップと、を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/312 , H01L 21/76

FI (3件)：

H01L21/316 P , H01L21/312 C , H01L21/76 L

Fターム (25件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA69 , 5F032AA70 , 5F032DA01 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA10 , 5F032DA53 , 5F032DA74 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AG10 , 5F058AH06 , 5F058BD04 , 5F058BF46 , 5F058BF62 , 5F058BF73 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH16 , 5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の素子分離領域の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-070632 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107527 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
特開平1-235259

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