特許
J-GLOBAL ID：200903028076046708

電子部品の製造方法、及び電子部品

発明者：
国司 多通夫

国司 多通夫 について

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沼田 外志

沼田 外志 について

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斎藤 順一

斎藤 順一 について

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坂部 行雄

坂部 行雄 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385167
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183844
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：
【要約】【課題】 安価にして所望箇所にのみ所望のめっき皮膜を容易に形成することのできるようにした。【解決手段】 Niの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する平均径1mmの多数のZn片をめっき浴中で前記被めっき物と混合すると、Znが溶解して電子を放出し、Znと接するCu電極が卑にシフトし、これにより電極上にNiが析出し、電極表面にNi皮膜3が形成される。同様にしてスズめっき浴中でZn片を浸漬させると、Znが溶解して電子を放出し、Znと接するNi皮膜3が卑にシフトし、これによりNi皮膜上3にSnが析出し、Sn皮膜4が形成される。
請求項（抜粋）：
表面に電極が形成された被めっき物にめっき処理を施し、電子部品を製造する電子部品の製造方法において、析出金属の析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する導電性媒体をめっき浴中で前記被めっき物と混合し、無電解めっきを施して前記電極上に前記めっき皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 18/34 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/52
FI (3件)：
C23C 18/34 ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/52 B
Fターム (7件)：
4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022BA21 ,  4K022BA36 ,  4K022DA01 ,  4K022DB01
引用特許：
審査官引用 (16件)
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