特許
J-GLOBAL ID：200903028091088867

半導体発光素子の製造方法

発明者：
末廣 一郎

末廣 一郎 について

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堀田 祐治

堀田 祐治 について

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貞頼 直樹

貞頼 直樹 について

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原田 憲章

原田 憲章 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-294205
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203737
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】半導体発光素子からの光取出し効率が良く、製造時の半導体発光素子の破損を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】(1)半導体発光素子の光取り出し面側にポリカルボジイミドを含む層を積層する工程、及び(2)前記ポリカルボジイミドを含む層に凹凸を形成する工程を含む半導体発光素子の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)半導体発光素子の光取り出し面側にポリカルボジイミドを含む層を積層する工程、及び (2)前記ポリカルボジイミドを含む層に凹凸を形成する工程 を含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 Z
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (18件)
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