特許
J-GLOBAL ID：200903029650996481

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
吉武 春二

吉武 春二 について

, 
関口 秀樹

関口 秀樹 について

, 
山下 敦子

山下 敦子 について

, 
滝本 一浩

滝本 一浩 について

, 
高橋 幸一

高橋 幸一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179915
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174191
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 発光層を含む半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界における光の全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 n型GaAs基板110上に、n型InAlPクラッド層112,InGaAlP活性層113,及びp型InAlPクラッド層114からなるダブルへテロ構造部を形成し、その上にp型InGaP電流拡散層115,p型GaAsコンタクト層116を形成し、コンタクト層116上に部分的にp側電極118を形成した緑色LEDにおいて、コンタクト層116上で電極118が形成されてない部分に反射防止膜117を形成し、この反射防止膜117の表面を粗面加工し、表面ラフネス(PV値(max-min))を、200nm以上で且つ発光波長以下に設定した。
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、前記基板の主面上に形成された、発光層を含む半導体多層膜と、前記半導体多層膜の前記基板と反対側の光取り出し面側に設けられた複数の錐体状の突起物とを具備してなる面発光型の半導体発光素子であって、前記複数の突起物における底面と側面との交差角度は、30度以上で70度以下に設定されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 21/205
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AF04 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM