特許
J-GLOBAL ID：200903028092723949

半導体装置およびその製造方法

発明者：
長野 能久

長野 能久 について

, 
上本 康裕

上本 康裕 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152324
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044376
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜が還元されて、容量素子の特性が劣化することを防止する。【解決手段】 半導体基板100上に形成された第1及び第2の電界効果型トランジスタの上には第1の保護絶縁膜106が堆積されており、該第1の保護絶縁膜106の上には、容量下部電極109、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜110A及び容量上部電極111からなる容量素子が形成されている。容量下部電極109と第1の電界効果型トランジスタの不純物拡散層105とは第1の保護絶縁膜106に形成された第1のコンタクトプラグ107により直接に接続され、容量上部電極111と第2の電界効果型トランジスタの不純物拡散層105とは第1の保護絶縁膜106に形成された第2のコンタクトプラグ108により直接に接続されている。
請求項（抜粋）：
第1の電界効果型トランジスタ及び第2の電界効果型トランジスタが形成されている半導体基板上に堆積された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上に下から順次形成された、容量下部電極、絶縁性金属酸化物からなる容量絶縁膜及び容量上部電極により構成される容量素子と、前記保護絶縁膜に形成され、前記第1の電界効果型トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と前記容量下部電極とを直接に接続する第1のコンタクトプラグと、前記保護絶縁膜に形成され、前記第2の電界効果型トランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層と前記容量上部電極とを直接に接続する第2のコンタクトプラグとを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM