特許
J-GLOBAL ID：200903028238080760

半導体構造、メモリアレイ、電子システム、及び半導体構造の形成方法

発明者：
サンデュ,ガーテ,エス.

サンデュ,ガーテ,エス. について

, 
ダルカン,ディ.マーク

ダルカン,ディ.マーク について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-522810
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503814
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
本発明は、トレンチ分離領域を有する半導体構造を含む。このトレンチ分離領域のトレンチは、狭い底部分と、この底部分上の広い上方部分とを含んでいる。電気絶縁性材料が、上記広い上方部分を充填する一方、上記狭い底部分内に空所を残している。上記底部分は、実質的に垂直な側壁を有し、この側壁から実質的に垂直に延びる段部で上記上方部分と連結している。上記トレンチ分離領域は、メモリアレイ内に含まれてもよく、及び/又は、電子システム内に含まれてもよい。本発明は、半導体構造を形成する方法をも含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体構造であって、 半導体基板と、 前記基板内に延びるトレンチであって、狭い底部分と、該底部分上であって該底部分とは段部で連結している広い上方部分とを備えるトレンチと、 前記トレンチを実質的に充填している、実質的に固体の電気絶縁性材料と、 を備える構造。
IPC (9件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/764 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (7件)：
H01L21/76 L ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L21/76 A ,  H01L29/78 301R ,  H01L29/78 621
Fターム (64件)：
5F032AA01 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA49 ,  5F032AA67 ,  5F032AA77 ,  5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA25 ,  5F032DA28 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F083AD01 ,  5F083AD10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083NA01 ,  5F083PR10 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F110AA04 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG52 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF56 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BH14 ,  5F140CB04 ,  5F140CE20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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