特許
J-GLOBAL ID：200903028848048531

半導体装置およびその製造方法

発明者：
増田 健良

増田 健良 について

, 
松川 真治

松川 真治 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-126432
公開番号（公開出願番号）：特開2006-344942
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】特性を十分に向上することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】MOSFET30は、SiC膜11を備えている。SiC膜11はその表面にファセット形成層11aを有しており、ファセット形成層11aのファセットの一周期の長さP1は100nm以上であり、ファセット形成層11aをチャネル16としている。また、MOSFET30の製造方法は、SiC膜11を形成する工程と、SiC膜11の表面にSiを供給した状態で、SiC膜11を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってSiC膜11の表面に得られたファセットをチャネル16とする工程とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素よりなる半導体膜を備え、 前記半導体膜はその表面にファセットを有し、 前記ファセットをチャネルとすることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L21/20
Fターム (38件)：
5F140AA01 ,  5F140AA40 ,  5F140AC23 ,  5F140AC26 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BB02 ,  5F140BB03 ,  5F140BB04 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BE07 ,  5F140BG02 ,  5F140BH07 ,  5F140BH08 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK28 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CF00 ,  5F152LM08 ,  5F152LN08 ,  5F152LN18 ,  5F152LN21 ,  5F152LN26 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM20 ,  5F152NN05 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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