特許
J-GLOBAL ID：200903089907663171

SiC半導体装置の製造方法及びSiC半導体装置

発明者：
木本 恒暢

木本 恒暢 について

, 
松波 弘之

松波 弘之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075527
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019951
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】 SiC結晶中のチャネル移動度を大幅に向上させることができるSiC半導体装置の製造方法及びSiC半導体装置を提供する。 【解決手段】 SiCからなる半導体基板上に半導体装置を形成する方法において、酸素と希ガスからなる混合ガスをプラズマ励起し、酸素励起活性種として酸素ラジカルを用い、基板温度を500〜1250°Cに設定することにより、シリコン酸化膜を形成し、引き続き酸窒化処理し、ラジカル化した酸素分子及び酸素原子によりカーボンを除去する。これによって、62cm2 /Vsのチャネル移動度を得た。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
SiCからなる半導体基板上に半導体装置を形成する方法において、酸素と希ガスからなる混合ガスをプラズマ励起し、酸素励起活性種として酸素ラジカルを用い、基板温度を500〜1250°Cに設定することにより、シリコン酸化膜を形成することを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L21/316 A ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G
Fターム (25件)：
5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BG36 ,  5F140BG44 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-017680   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社
  • 酸化膜/炭化珪素界面の作製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049762   出願人：経済産業省産業技術総合研究所長
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM