特許
J-GLOBAL ID：200903028970708275
現像済みフォトレジスト層をすすぐための方法および蒸発性の溶液
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鈴木 正剛
, 佐野 良太
, 村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-572625
公開番号（公開出願番号）：特表2004-527113
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
現像室(20)内で半導体ウェハ(22)上のフォトレジスト層(30)を現像する方法は、フォトレジスト層(30)に現像液を与える段階,フォトレジスト層(30)に蒸発性の溶液(32)を与える段階およびウェハ(22)を乾燥する段階を含む。
請求項（抜粋）：
現像室(20)内で半導体ウェハ(22)上のフォトレジスト層(30)を現像する方法であって:
フォトレジスト層(30)に現像液を与える段階;
前記フォトレジスト層(30)に蒸発性の溶液を与える段階;および
前記フォトレジスト層(30)を乾燥する段階;
を含む方法。
IPC (4件)：
H01L21/027
, B05D7/00
, G03F7/32
, G03F7/38
H01L21/30 569F
, B05D7/00 H
, G03F7/32 501
, G03F7/38 511
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096GA01
, 2H096GA18
, 2H096GA20
, 2H096JA04
, 2H096LA30
, 4D075BB24Z
, 4D075BB65Y
, 4D075BB69Y
, 4D075BB79Y
, 4D075CA47
, 4D075DA08
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075EA07
, 4D075EA45
, 5F046LA12
, 5F046LA14
, 5F046LA19
