【課題】圧電セラミック層における結晶配向セラミクスの配向度が高く、優れた変位性能を示すことができ、内部電極の形成率の低下を抑制できる積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、これを構成する結晶粒の結晶面{100}面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子及びその製造方法である。圧電セラミック層は、一般式(1)[Agh{Lix(K1-yNay)1-x}1-h]j(Nb1-z-wTazSbw)O3-k(但し、0≦x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0≦w≦0.2、x+z+w>0、0
請求項(抜粋):
等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する結晶粒の結晶面{100}面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、導電性金属を含有する内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子であって、
上記圧電セラミック層は、一般式(1)[Agh{Lix(K1-yNay)1-x}1-h]j(Nb1-z-wTazSbw)O3-k(但し、0≦x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0≦w≦0.2、x+z+w>0、0
IPC (5件):
H01L 41/083
, H01L 41/187
, H01L 41/24
, H01L 41/22
, C04B 35/00
FI (5件):
H01L41/08 S
, H01L41/18 101J
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
, C04B35/00 J
Fターム (23件):
4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA30
, 4G030AA42
, 4G030BA10
, 4G030CA01
, 4G030CA02
, 4G030CA04
, 4G030CA08
, 4G030GA01
, 4G030GA03
, 4G030GA08
, 4G030GA09
, 4G030GA11
, 4G030GA14
, 4G030GA15
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4G030GA30
, 4G030GA31
引用特許:
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (8件)
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