特許
J-GLOBAL ID：200903029042171828
フォトマスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、並びにフォトマスク
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-101985
公開番号（公開出願番号）：特開2008-257132
出願日： 2007年04月09日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性を向上でき、高いマスクパターン精度が得られるフォトマスクブランク用基板及びフォトマスクブランクを提供する。このフォトマスクブランクを用いて高いパターン精度で微細パターンが形成されたフォトマスクを提供する。【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランク用の基板1であって、該基板1は主表面11a,11bと該主表面の周縁に形成された端面12とを有し、該端面12は基板の側面12cと、該側面と主表面との間に介在する面取り面12a,12bとを含む。該側面12cの平坦度が50μm以下である。フォトマスクブランクは、この基板1の主表面上に転写パターンを形成するための薄膜が形成されている。フォトマスクは、フォトマスクブランクの薄膜をパターニングした転写パターンが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランク用の基板であって、
前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された側面を含む端面とを有し、
前記側面の平坦度が、50μm以下であることを特徴とするフォトマスクブランク用基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
