特許

J-GLOBAL ID：200903029231379642

絶縁膜およびその形成方法、絶縁膜形成用組成物ならびに絶縁膜を有する積層体およびその形成方法

発明者： 秋山 将宏 ,  中川 恭志 ,  黒澤 孝彦 ,  塩田 淳
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-396033
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159032
出願日： 2003年11月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 低比誘電率であり、機械的強度および薬液耐性などにも優れ、半導体素子などにおいて好適に用いることができる絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の絶縁膜の形成方法は、(A)ポリシロキサン化合物と、(B)前記(A)成分に相溶または分散するポリカルボシラン化合物とを含む膜に高エネルギー線を照射することを含む。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)ポリシロキサン化合物と、(B)前記(A)成分に相溶または分散するポリカルボシラン化合物とを含む塗膜に高エネルギー線を照射することを含む、絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/312 ,  C08L83/04 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/312 C ,  C08L83/04 ,  H01L21/90 Q

Fターム (37件)：

4J002CP041 ,  4J002CP081 ,  4J002CP212 ,  4J002GQ01 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリカ薄膜形成用組成物およびシリカ薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056882   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

審査官引用 (8件)

• シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084475   出願人：富士通株式会社
• ULSI用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519479   出願人：アライドシグナルインコーポレイテッド
• 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-002113   出願人：富士通株式会社
• 狭ギャップ充填用途の誘電フィルム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-562989   出願人：ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド
• 低誘電率膜形成用組成物、低誘電率膜及びその製造方法、並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-077381   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-321448   出願人：株式会社東芝
• 多孔性低誘電率材料のための紫外線硬化処理
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-529517   出願人：アクセリステクノロジーズインコーポレーテッド
• シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102715   出願人：ジェイエスアール株式会社