疎水性領域及び終点検出ポートを備える研磨パッド

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-505000
公開番号（公開出願番号）：特表2007-530297
出願日： 2005年03月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

本発明は、疎水性領域(30)と、親水性領域(40)と、終点検出ポート(20)とを備える研磨層(10)を備える化学機械研磨パッドを提供する。疎水性領域は、終点検出ポート(80)に略隣接する。疎水性領域(30)は、34mN/m以下の表面エネルギを有するポリマ材料、及び34mN/mよりも大きな表面エネルギを有するポリマ材料を含む。さらに、本発明は、研磨パッドの使用を含む基板を研磨する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

疎水性領域と、親水性領域と、終点検出ポートとを備える研磨層を備える化学機械研磨パッドであって、前記疎水性領域が終点検出ポートに略隣接し、前記疎水性領域が、34mN/m以下の表面エネルギを有するポリマ材料を含み、また前記親水性領域が、34mN/mよりも大きな表面エネルギを有するポリマ材料を含む研磨パッド。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304

FI (4件)：

B24B37/00 C , B24B37/04 K , H01L21/304 622F , H01L21/304 622S

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058BA07 , 3C058CB05 , 3C058DA02 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (7件)

研磨パッドおよび半導体ウェハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-122542 出願人：JSR株式会社
研磨パッド
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-526332 出願人：ロデールホールディングスインコーポレイテッド
機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221737 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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