半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000796
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236267
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】低いオン抵抗を可能にするパワートランジスタを提供する。【解決手段】半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、この基板の第1の主面に形成された第1導電型の低濃度半導体層と、低濃度半導体層の表面の島状領域の頂部に形成された第1導電型の第1の半導体領域と、この領域の周囲を取り囲むように形成され、この領域よりも深く低濃度半導体層に埋め込み形成された第1の電極と、半導体基板の第2の主面上に形成された第2の半導体領域と、第1の電極の底面と第2の半導体領域の間の低濃度半導体層中に形成され、第1導電型の第1の電界緩和層とその両端に形成された第2導電型の第2の電界緩和層からなる埋込電界緩和層と、第1の半導体領域上に形成された第2の電極と、第2の半導体領域上に形成された第2の電極とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主面と第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の主面上に形成された第1導電型の低濃度半導体層と、前記低濃度半導体層の表面の島状領域の頂部に形成された第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の周囲を取り囲むように形成され、前記第1の半導体領域よりも深く前記低濃度半導体層に埋め込み形成された第1の電極と、前記半導体基板の前記第2の主面上に形成された第2の半導体領域と、前記第1の電極の底面と前記第2の半導体領域の間の前記低濃度半導体層中に形成され、第1導電型の第1の電界緩和層と、前記第1の電界緩和層の両端に形成された第2導電型の第2の電界緩和層からなる埋込電界緩和層と、前記第1の主面の前記第1の半導体領域上に形成された第2の電極と、前記第2の主面の前記第2の半導体領域上に形成された第3の電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 653A , H01L29/78 652E , H01L29/78 652H , H01L29/78 655B

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-144730 出願人：株式会社東芝
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-260212 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (10件)

ユニポーラ電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-516249 出願人：イノベイティブ・テクノロジー・ライセンシング・エルエルシー
特開昭53-116080
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-302562 出願人：株式会社東芝

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