特許
J-GLOBAL ID：200903030366611438
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-082432
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244132
出願日： 2007年03月27日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】特に半導体ウェハ100を薄くした場合、例えば100μm以下と薄くしていくと、ウェハ100の反りが発生し、前記ウェハにフィルム101が貼り難く、個片化できない問題が発生する。 【解決手段】 半導体ウェハWのダイシングラインに相当する部分に分離溝8を形成したら、サポート基板9を貼り合わせる。この状態で半導体ウェハWの裏面を削り、分離溝8を露出させ、その後に角部をエッチングにより丸める。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に少なくとも一つの能動素子を形成し、前記能動素子と電気的に接続される電極を設け、
前記少なくとも一つの能動素子の周囲を囲むように、前記半導体基板の厚みよりも浅い分離溝を形成し、
前記半導体基板表面を接着剤を介してサポート基板を貼りあわせ、
前記半導体基板の裏面を取り除いて基板を薄くし、前記分離溝の側壁が露出したら前記半導体基板の裏面と前記側壁で成る角部をエッチングによりなだらかにし、
前記裏面にある分離溝を通じて前記接着剤の溶剤を通過させて、前記サポート基板から前記半導体基板を分離する事を特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, H01L 21/304
H01L21/78 Q
, H01L21/78 S
, H01L21/78 M
, H01L21/304 631
