半導体集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田澤博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066973
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261946
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路において組み合わせ回路は正常に動作するが、順序回路は保持データの消失により誤動作するという課題があった。【解決手段】順序回路に含まれる電界効果トランジスタは制御手段がそのしきい値電圧を可変とすることができるように構成したので、動作時にはトランジスタのしきい値電圧を低くして記憶保持ノードへのデータの書き込み・読み出しを高速化し、不動作時にはトランジスタのしきい値電圧を高めてリーク電流を減少させ、これにより記憶保持ノードのデータを破壊・消失しないようにするとともに低消費電力化を実現したものである。

請求項（抜粋）：

スイッチング手段と、該スイッチング手段に接続された組み合わせ回路と、第1の電界効果トランジスタを含む順序回路と、上記第1の電界効果トランジスタのしきい値電圧を可変とする制御手段とを備えた半導体集積回路。

IPC (5件)：

H03K 19/00 , G11C 11/407 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H03K 19/0948

FI (4件)：

H03K 19/00 A , G11C 11/34 354 F , H01L 27/08 321 L , H03K 19/094 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-071564 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-075913 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-211772 出願人：三菱電機株式会社

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