特許
J-GLOBAL ID：200903086422296058

窒化物系半導体発光素子の製造方法および窒化物系半導体発光素子

発明者：
山口 勤

山口 勤 について

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野村 康彦

野村 康彦 について

, 
戸田 忠夫

戸田 忠夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374299
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174237
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】低温の熱処理によっても窒化物半導体層中の不純物を十分に活性化することが可能な窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、MQW発光層6上に、p型AlGaNクラッド層7およびp型GaNコンタクト層8を形成する工程と、p型AlGaNクラッド層7およびp型GaNコンタクト層8上にPd電極層9を形成する工程と、その後、約300°Cで熱処理することによって、上記p型AlGaNクラッド層7およびp型GaNコンタクト層8中の不純物を活性化する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
活性層上に、第1導電型の不純物を含む窒化物系半導体層を形成する工程と、前記窒化物系半導体層上に、第1電極層を形成する工程と、その後、600°C以下で熱処理することによって、前記窒化物系半導体層内の前記第1導電型の不純物を活性化する工程とを備えた、窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/28 301 H
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD35 ,  4M104DD64 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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