特許

J-GLOBAL ID：200903030818633400

窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、およびデバイス

発明者： 川端 紳一郎 ,  吉川 彰 ,  鏡谷 勇二 ,  福田 承生
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122108
公開番号（公開出願番号）：特開2007-290921
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表13族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の1.5〜15mol%の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および/または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表13族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の1.5〜15mol%の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および/または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる工程を含むことを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 7/10 ,  C01B 21/06

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B7/10 ,  C01B21/06 A

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EG25 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ09 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4G077KA09 ,  4G077KA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 硫黄スラリーとその製造方法、硫黄スラリーを用いた硫黄固化体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-155161   出願人：株式会社ジーン

審査官引用 (5件)

• 窒化物単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-076167   出願人：三菱化学株式会社
• ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-503864   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
• 窒化物結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-066543   出願人：三菱化学株式会社, 株式会社東北テクノアーチ
• 窒化物単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-046607   出願人：三菱化学株式会社
• 窒化物結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-171755   出願人：三菱化学株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• ON GaN CRYSTALLIZATION BY AMMONOTHERMAL METHOD
• Growth of GaN crystals under ammonothermal conditions
• 安熱合成法によるGaNの作製