特許
J-GLOBAL ID：200903031035467740

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像若しくは多重現像用レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液、及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液

発明者：
星野 渉

星野 渉 について

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樽谷 晋司

樽谷 晋司 について

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和田 健二

和田 健二 について

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椿 英明

椿 英明 について

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水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-197840
公開番号（公開出願番号）：特開2008-281975
出願日： 2007年07月30日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。【解決手段】(ア)特定繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)一般式(NGL-1)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、 (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/30 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/10
FI (8件)：
G03F7/30 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  C08F20/10
Fターム (55件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA11S ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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