半導体装置、およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-142874
公開番号（公開出願番号）：特開2007-001004
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】マイクロマシンを構成する微小構造体および半導体素子において、同一基板上に、同一工程で微小構造体と半導体素子を形成する作製方法を提供する。【解決手段】基板101上の微小構造体となる箇所に第1の犠牲層103を、その上に構造層105を成膜する。また半導体素子となる箇所には半導体層104を成膜する。構造層は結晶化を促進する金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層104としても使うことが可能で微小構造体と半導体素子を同一基板上に形成可能である。続けて構造層の上には第2の犠牲層108を成膜し、半導体層の上には半導体素子を形成する。最終的には第1と第2の犠牲層を除去し、構造層の下方と上方に空間を作り微小構造体とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた電気回路および微小構造体を有し、前記電気回路は半導体素子を有し、前記微小構造体は、金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを有する層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

B81B 7/02 , B81C 1/00 , B81B 3/00 , H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (6件)：

B81B7/02 , B81C1/00 , B81B3/00 , H01L21/20 , H01L27/12 B , H01L29/78 613Z

Fターム (120件)：

5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL08 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152BB10 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC08 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE04 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE12 , 5F152CE25 , 5F152CE28 , 5F152CE35 , 5F152CE45 , 5F152CF18 , 5F152DD07 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF21 , 5F152FF30 , 5F152FF32 , 5F152FF35 , 5F152FF36 , 5F152FF37 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG18 , 5F152FH01 , 5F152LL03 , 5F152LP01 , 5F152LP08 , 5F152MM01 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NN20 , 5F152NQ03 , 5F152NQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜状の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-108249 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (12件)

多結晶シリコン膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-159159 出願人：トヨタ自動車株式会社
多結晶シリコン薄膜の製造方法および多結晶シリコン薄膜構造体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212832 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー
薄膜状の結晶化処理された機械的装置及びその方法並びにその製造システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-108249 出願人：シャープ株式会社

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