特許
J-GLOBAL ID：200903032129567060
イオン伝導体用シリカゲル及びイオン伝導体、並びに燃料電池及びリチウムイオン二次電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160636
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002114
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】細孔径等の物性を精密に制御でき、これらの物性を生かしたイオン伝導体の設計が可能であるとともに、細孔容積が大きく、充分な量のイオン伝導性化合物を含有させることが可能な、イオン伝導体の担体として好適に使用できるシリカゲルを提供する。【解決手段】(a)細孔容積が0.3ml/g以上3.0ml/g以下であり、(b)比表面積が200m2/g以上1000m2/g以下であり、(c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満であり、(d)非晶質であり、且つ、(e)固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトをδ(ppm)とした場合に、δが下記式(I)-0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I)を満足するようにする。
請求項（抜粋）：
イオン伝導体に用いられるシリカゲルであって、
(a)細孔容積が0.3ml/g以上3.0ml/g以下であり、
(b)比表面積が200m2/g以上1000m2/g以下であり、
(c)細孔の最頻直径(Dmax)が20nm未満であり、
(d)非晶質であり、且つ、
(e)固体Si-NMRでのQ4ピークのケミカルシフトをδ(ppm)とした場合に、δが下記式(I)
-0.0705×(Dmax)-110.36>δ ・・・式(I)
を満足する
ことを特徴とする、イオン伝導体用シリカゲル。
IPC (4件)：
C01B33/152
, H01B1/06
, H01M8/02
, H01M10/40
C01B33/152 B
, H01B1/06 A
, H01M8/02 M
, H01M10/40 B
4G072AA28
, 4G072BB13
, 4G072BB15
, 4G072CC10
, 4G072EE01
, 4G072GG01
, 4G072HH30
, 4G072MM01
, 4G072RR05
, 4G072TT08
, 4G072TT09
, 4G072TT19
, 4G072TT30
, 4G072UU17
, 4G072UU30
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5H026AA06
, 5H026EE12
, 5H026HH02
, 5H026HH04
, 5H026HH05
, 5H029AJ05
, 5H029AJ14
, 5H029AM00
, 5H029AM16
, 5H029DJ04
, 5H029DJ13
, 5H029DJ16
, 5H029DJ18
, 5H029EJ05
, 5H029HJ01
, 5H029HJ06
, 5H029HJ07
審査官引用 (11件)
-
シリカゲルの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-198224
出願人：三菱化学株式会社
-
特開平4-193708
-
高純度シリカガラスの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-137215
出願人：信越化学工業株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)
-
A novel proton-conducting membrane
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