特許
J-GLOBAL ID：200903032275610180
表面プラズモンを利用したナノパターニング方法、それを利用したナノインプリント用マスター及び離散トラック磁気記録媒体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218751
公開番号（公開出願番号）：特開2009-087519
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】表面プラズモンを利用したナノパターニング方法、これを利用したナノインプリント用マスター及び離散トラック磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】(a)基板上にエッチング対象物質層、フォトレジスト層及び所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、(b)パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されてフォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、(c)パターニングされた金属層を除去し、フォトレジスト層を現像する工程と、(d)第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとしてエッチング対象物質層をエッチングする工程と、を含むナノパターニング方法である。【選択図】図2G
請求項（抜粋）：
(a)基板上にエッチング対象物質層、フォトレジスト層及び所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、
(b)前記パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されて前記フォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、
(c)前記パターニングされた金属層を除去し、前記フォトレジスト層を現像する工程と、
(d)前記第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとして前記エッチング対象物質層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするナノパターニング方法。
IPC (5件)：
G11B 5/855
, B82B 3/00
, H01L 21/027
, G03F 7/20
, B29C 59/02
G11B5/855
, B82B3/00
, H01L21/30 502D
, G03F7/20 501
, B29C59/02 B
2H097AA20
, 2H097CA11
, 2H097LA20
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH38
, 4F209AJ02
, 4F209AJ03
, 4F209AJ06
, 4F209AJ09
, 4F209AK03
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5D112AA05
, 5D112AA20
, 5D112AA24
, 5D112GA00
, 5D112GA17
, 5D112GA19
, 5D112GA20
, 5F046AA28
