自動化ウェハ欠陥検査システムおよびこのような検査を実行する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560537
公開番号（公開出願番号）：特表2003-529741
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】自動化欠陥検査システム(10)が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、MCMなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。

請求項（抜粋）：

自動化方法であって、全パターン化ウェハ、切込みウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、およびフィルムフレーム上の任意の種類のウェハ、ダイ、ゲルパックのダイ、ワッフルパックのダイ、MCMと呼ばれる多チップモジュール、JEDECトレイ、Auer ボート、ならびに他のウェハおよびダイパッケージ形状を含む、任意の形態における半導体ウェハを欠陥について検査する自動化方法であり、該方法は、以下の工程: 複数の既知の良好なウェハの光学的観察を介して、良好なウェハのパラメータに関してモデルを訓練する工程;および未知の品質のウェハを該モデルを使用して検査する工程、を包含する方法。

IPC (4件)：

G01N 21/956 , G01B 11/30 , G06T 1/00 305 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/956 A , G01B 11/30 A , G06T 1/00 305 A , H01L 21/66 J

Fターム (67件)：

2F065AA49 , 2F065AA54 , 2F065BB27 , 2F065CC17 , 2F065FF04 , 2F065GG08 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065MM02 , 2F065PP12 , 2F065QQ04 , 2F065QQ24 , 2F065QQ33 , 2F065QQ41 , 2F065RR08 , 2G051AA51 , 2G051AB02 , 2G051BA10 , 2G051BA20 , 2G051BB05 , 2G051BC02 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB01 , 2G051DA03 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G051DA15 , 2G051EA14 , 2G051EC02 , 2G051EC03 , 2G051FA10 , 4M106AA01 , 4M106BA10 , 4M106CA38 , 4M106DB04 , 4M106DB07 , 4M106DB08 , 4M106DB12 , 4M106DB18 , 4M106DJ02 , 4M106DJ06 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ23 , 5B057AA04 , 5B057BA02 , 5B057CA02 , 5B057CA08 , 5B057CA12 , 5B057CA16 , 5B057CB02 , 5B057CB08 , 5B057CB12 , 5B057CB16 , 5B057CC01 , 5B057CE11 , 5B057DA03 , 5B057DA07 , 5B057DB02 , 5B057DB05 , 5B057DB09 , 5B057DC03 , 5B057DC04 , 5B057DC09 , 5B057DC22 , 5B057DC32

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン検査方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-181540 出願人：株式会社日立製作所
被検査パターンの欠陥検査方法およびその方法を用いた半導体製造プロセス評価方法並びに複数画像の位置合わせ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-012880 出願人：株式会社日立製作所
半導体チップの外観検査方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333166 出願人：シャープ株式会社

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