走査型プローブ顕微鏡

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：青木健二 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-098067
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296168
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】コンタクトモードで試料の凹凸像の測定およびカンチレバーの電流の測定を行い、またリフトモードで電界放出のような高バイアス電圧を必要とする測定を、探針、カンチレバーや試料に損傷を与えることなく行うようにする。【解決手段】コンタクトモードで試料1の凹凸像およびカンチレバー7の電流像の測定時には、バイアス電圧切替回路10から低バイアス電圧が試料1に加えられる。これにより、試料1や探針6等の損傷が防止される。また、リフトモードでの電界放出量の測定時には、バイアス電圧切替回路10から高バイアス電圧が試料1に加えられる。したがって、試料1-探針6間の電界放出像が確実に得られる。

請求項（抜粋）：

先端に探針を有する可撓性のカンチレバーと、前記探針が試料に対してリフトするように前記試料を前記探針に対して相対移動する試料移動手段とを備え、バイアス電圧を加えられる試料と前記探針との間に働く力でカンチレバーが撓むようになっている走査型プローブ顕微鏡において、前記探針が前記試料にコンタクトした状態で前記試料の測定を行うコンタクトモードと、前記探針が前記試料からリフトされた状態で前記試料と前記探針との間の電界放出量の測定を行うリフトモードとが設定されており、更に、前記コンタクトモード時に前記バイアス電圧を低電圧に設定するとともに、前記リフトモード時に前記バイアス電圧を高電圧に設定するようバイアス電圧切替手段を備えていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。

IPC (6件)：

G01N 13/10 , G01B 7/00 , G01B 7/34 , G01B 21/30 101 , G01N 13/16 , G01N 13/22

FI (6件)：

G01N 13/10 C , G01B 7/00 U , G01B 7/34 Z , G01B 21/30 101 Z , G01N 13/16 A , G01N 13/22 A

Fターム (25件)：

2F063AA43 , 2F063CA28 , 2F063DA01 , 2F063DA02 , 2F063DA05 , 2F063DB06 , 2F063DD02 , 2F063EA16 , 2F063EB15 , 2F063EB23 , 2F063LA09 , 2F063LA30 , 2F063ZA03 , 2F069AA60 , 2F069CC06 , 2F069DD01 , 2F069GG01 , 2F069GG04 , 2F069GG06 , 2F069GG21 , 2F069GG62 , 2F069HH05 , 2F069JJ15 , 2F069LL03 , 2F069MM23

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜膜質測定装置、薄膜膜質測定方法、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-196576 出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
走査型プローブ顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-300687 出願人：オリンパス光学工業株式会社
走査型プローブ顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-356799 出願人：日本電子株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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