特許
J-GLOBAL ID：200903033316714545

透過型光変調素子の製造方法

発明者：
木村 宏一

木村 宏一 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-287895
公開番号（公開出願番号）：特開2006-098990
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 設計の自由度の大きい、構造が簡単で、コスト安で、制御が簡単で、波長依存性がない電気機械式光シャッター素子を、高精度・高品質・低価格で製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 透過型光変調素子の製造方法において、まず、Si(シリコン)基板上に駆動回路を形成し、次に、その上に透過型光変調部の成膜をしてパターニングを行い、その後、前記駆動回路と前記透過型光変調部を前記Si基板から透明基板上に転写するようにした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
透明基板と、該透明基板上の光透過領域以外の領域に設けられた薄膜の画素駆動回路と、該画素駆動回路によって制御され該画素駆動回路の上に設けられる微小電気機械要素による透過型光変調部とから成る透過型光変調素子、又は、該透過型光変調素子にさらに前記微小電気機械要素による透過型光変調部の少なくとも入射側に光学機能体を設け、該光学機能体により、入射光の少なくとも一部が回路基板上の光透過領域及び光変調部に収束されるようにした透過型光変調素子の製造方法において、まず、シリコン基板上に駆動回路を形成し、次に、その上に透過型光変調部を形成し、その後、前記駆動回路と前記透過型光変調部を前記シリコン基板から透明基板上に転写することを特徴とする透過型光変調素子の製造方法。
IPC (5件)：
G02B 26/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G02B26/02 A ,  H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612Z
Fターム (35件)：
2H041AA02 ,  2H041AB10 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG31 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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